Los científicos de la corporación IBM informaron sobre la creación de una tecnología revolucionaria para memorias de ordenador de cambio de fase (phase-change memory, PCM por sus siglas en inglés). De acuerdo con el informe de prensa emitido por la compañía, la nueva memoria puede guardar y leer los datos 100 veces más rápido que la actualmente habitual memoria flash.
Una de las limitaciones que tiene la memoria flash es que una celda permite guardar solo un bit de datos. A diferencia de la memoria flash, la PCM permite ´colocar´ cuatro bits en una celda. El documento indica que la memoria de cambio de fase podría acelerar el inicio del ordenador hasta hacerlo instantáneo y aumentar considerablemente la productividad y efectividad de los sistemas informáticos.
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